《沿着民族复兴的足迹》出版******
《沿着民族复兴的足迹》近日由广西人民出版社出版。该书由自治区政府参事黄健所著。书籍以图文并茂的形式讲述了袁隆平、孙家栋、李延年、钱学森、钱三强、廷·巴特尔、王蒙、王力、阎肃、黄永玉等近20位国家勋章获得者和著名文化大师感人至深的事迹,讴歌他们无私奉献的崇高精神;并生动介绍了延安、井冈山等12处红色革命旧址,以小见大呈现中国共产党的百年奋斗历程,生动诠释伟大建党精神的深刻内涵。全书分为上中下篇,从作者访谈“共和国勋章”获得者、“七一勋章”获得者、“两弹一星”功勋奖章获得者、著名文化大师的故事和瞻仰参观中国革命遗址,回顾党一路走过的艰难历程,汲取中国革命历史、优良传统的精神养分。作者用流畅的语言,刻画人物丰满的形象,细节真实感人,让读者通过重温这些生动感人的故事,感受到英模及革命前辈的优秀品质,汲取奋进的精神力量。(周颖慧)
多光子非线性量子干涉首次实现 为新型量子态制备等应用奠定基础******
科技日报合肥1月16日电 (记者吴长锋)记者16日从中国科学技术大学获悉,该校郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作,基于光量子集成芯片,在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表在光学权威学术期刊《光学》上。
量子干涉是众多量子应用的基础,特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引起人们的关注。尽管双光子非线性干涉过程已经实现了20多年,并且在许多新兴量子技术中得到应用,直到2017年,人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程,但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性,一直未获得新进展。光量子集成芯片,以其极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台,也为多光子非线性干涉研究提供了实现的可能性。
任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展。在前工作基础上,研究组通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构片上级联,在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程,其四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化,这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。
这一成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程,为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等应用奠定了基础。审稿人一致认为这是一个重要的研究工作,并给出了高度评价:该芯片设计精良,包含多种集成光学元件,如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器;这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展。
(文图:赵筱尘 巫邓炎)